2N7002LT1G vs BSS138L Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2N7002LT1G por onsemi e BSS138L por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2N7002LT1G BSS138L
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,02 $0,02
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET Single FET
Encapsulamento SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 —
Categoria Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET Trench MOSFET, high cell density
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] 3000 units per reel (tape and reel)
Operating Mode — Enhancement Mode
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
Continuous Drain Current (Ta) — 200 mA
Power Dissipation (Ta) — 350 mW
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Gate Type — Logic Level
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
Capacitância de entrada — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fichas técnicas e recursos

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