AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4-75BCNTR par Alliance Memory et AS4C512M16D4-75BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ ActifAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C512M16D4-75BCNTR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,90 | $8,99 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.333 GHz |
| Débit de données | 2666 Mbps per pin | 2666 Mbps |
| Access Time | 18 ns | 18 ns |
| Write Cycle Time | 15 ns | 15 ns |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) | — |
| Interface | Parallel | POD |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Internal Bank Count | 16 banks | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Plage de température de fonctionnement | 0C to +95C (case, commercial) | — |
| Process Technology | 20nm-class DRAM | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Refresh Modes | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Option | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |