AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN 비교

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Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 활성
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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
브랜드 Alliance Memory Alliance Memory
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.90 $8.99
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
데이터 속도 2666 Mbps per pin 2666 Mbps
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns 15 ns
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
인터페이스 Parallel POD
Prefetch Architecture 8n —
Internal Bank Count 16 banks —
패키지 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
동작 온도 범위 0C to +95C (case, commercial) —
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
메모리 크기 — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
공급 전압 — 1.2 V
동작 온도 — -40°C to +95°C
핀 수 — 96
특징 — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

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