AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4-75BCNTR por Alliance Memory y AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ ActivoAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4-75BCNTR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,90 | $8,99 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.333 GHz |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps per pin | 2666 Mbps |
| Access Time | 18 ns | 18 ns |
| Write Cycle Time | 15 ns | 15 ns |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) | — |
| Interfaz | Parallel | POD |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Internal Bank Count | 16 banks | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (case, commercial) | — |
| Process Technology | 20nm-class DRAM | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Refresh Modes | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Option | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Número de pines | — | 96 |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |