AUIRF7640S2TR vs AUIRF7769L2TR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AUIRF7640S2TR par Infineon et AUIRF7769L2TR par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
AUIRF7769L2TR - 100V 3.5mΩ 375A Automotive DirectFET MOSFET | Infineon
AUIRF7769L2TR ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | AUIRF7640S2TR | AUIRF7769L2TR |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $4,78 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C | 5.8 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 21 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | 2.4 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25C | 30 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | 36 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 7.3 nC | — |
| Boîtier | DirectFET SB (Surface Mount) | DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] | [DATA_NEEDED: min/max junction temperature] |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) | Automotive HEXFET Power MOSFET (trench) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) | AEC-Q100 qualified |
| Statut RoHS | Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] | Compliant |
| Primary Application | Automotive Class D audio amplifier output stage | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> | — | 375 A |
| R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V | — | 3.5 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Power Dissipation at T<sub>C</sub> | — | 125 W |
| Power Dissipation at T<sub>A</sub> | — | 3.3 W |
| Profile Height | — | 0.7 mm |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |