AUIRF7640S2TR vs AUIRF7769L2TR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок AUIRF7640S2TR от Infineon и AUIRF7769L2TR от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR - 60V 21A DirectFET MOSFET for Class D | Infineon

AUIRF7640S2TR - 60V 21A DirectFET MOSFET for Class D | Infineon

AUIRF7640S2TR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр AUIRF7640S2TR AUIRF7769L2TR
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $4,78
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
Корпус DirectFET SB (Surface Mount) DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] [DATA_NEEDED: min/max junction temperature]
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) Automotive HEXFET Power MOSFET (trench)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) AEC-Q100 qualified
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> — 375 A
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V — 3.5 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Power Dissipation at T<sub>C</sub> — 125 W
Power Dissipation at T<sub>A</sub> — 3.3 W
Profile Height — 0.7 mm
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену