AUIRF7640S2TR vs AUIRF7769L2TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AUIRF7640S2TR von Infineon und AUIRF7769L2TR von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter AUIRF7640S2TR AUIRF7769L2TR
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $4,78
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
Gehäuse DirectFET SB (Surface Mount) DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] [DATA_NEEDED: min/max junction temperature]
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) Automotive HEXFET Power MOSFET (trench)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) AEC-Q100 qualified
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> — 375 A
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V — 3.5 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Power Dissipation at T<sub>C</sub> — 125 W
Power Dissipation at T<sub>A</sub> — 3.3 W
Profile Height — 0.7 mm
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datenblätter & Ressourcen

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