BAT43-R0 vs BAT42 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BAT43-R0 par Taiwan Semiconductor et BAT42 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BAT43-R0 BAT42
Marque Taiwan Semiconductor STMicroelectronics
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,02 $0,02
Diode Type Small Signal Schottky Barrier Small Signal Schottky Barrier
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Forward Current (IF(AV)) 200 mA 200 mA
Maximum Forward Voltage (VF) 1 V —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 4 A 4 A
Power Dissipation 200 mW —
Junction Operating Temperature -65C to +125C up to 125 C
Reverse Recovery Fast switching (Schottky, majority carrier) —
Boîtier DO-35 axial glass (through hole) DO-35 axial through-hole
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single diode Single diode
ESD Protection Fast guard ring against excessive voltage (ESD) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Forward Voltage Turn-On Very low turn-on voltage —
Capacitance (Cj) [DATA_NEEDED: junction capacitance] —
Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: reverse leakage current] —
Packaging Type [DATA_NEEDED: tape/reel or bulk option] —
Repetitive Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Forward Voltage (VF) — [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: reverse leakage current]
Switching Speed — Fast (Schottky, no reverse recovery)
Technology — Metal-to-silicon Schottky junction with guard ring ESD protection
Application Class — General purpose fast switching
Manufacturer — STMicroelectronics

Fiches techniques et ressources

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