BSC027N04LSGATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve IPB017N10N5LFATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC027N04LSGATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 83 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
Series — OptiMOS 5 Linear FET
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Paket / Kas — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin