BSC027N04LSGATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB017N10N5LFATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC027N04LSGATMA1 | IPB017N10N5LFATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | 83 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | -55C to +175C (junction) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| MSL لیول | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 Linear FET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 180 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | — | 313 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ (max) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | — | Yes (OptiMOS Linear FET) |