BSL316CH6327XTSA1 vs BSS816NWH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSL316CH6327XTSA1 par Infineon et BSS816NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSL316CH6327XTSA1 | BSS816NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,22 | $0,14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS small-signal complementary MOSFET | BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) |
| Configuration | Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (N-channel ID) | 1.4 A | — |
| Continuous Drain Current (P-channel ID) | 1.5 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Boîtier | PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) | SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | OptiMOS low-voltage MOSFET | OptiMOS 2 trench MOSFET |
| Channel Type | N-channel + P-channel (dual) | — |
| Nombre de broches | 6 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Type de transistor | — | MOSFET, N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 160 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 500 mW |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| ESD Protection | — | Yes (integrated, per Infineon datasheet) |
| RoHS / Lead-Free | — | RoHS compliant, lead-free |