BSL316CH6327XTSA1 vs BSS816NWH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSL316CH6327XTSA1 от Infineon и BSS816NWH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSL316CH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,22 $0,14
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal)
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Корпус PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -55C to +150C (junction) —
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET OptiMOS 2 trench MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Число выводов 6 —
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Тип транзистора — MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=4.5V — 160 mOhm
RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
ESD Protection — Yes (integrated, per Infineon datasheet)
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену