BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP129H6906XTSA1 par Infineon et BSP135H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP129H6906XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,43 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP129H6906XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 350 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 Ohm (max) | — |
| Operating Mode | Normally-On (Depletion) | Normally ON (depletion) |
| Gate-Source Pinch-Off Voltage | [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 functional + 1 tab (4 leads) | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55C to +150C (junction, typical) |
| ESD Protection | Integrated Zener diodes on gate | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Technology | — | SIPMOS (planar DMOS) |