BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSP129H6906XTSA1 от Infineon и BSP135H6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) Normally ON (depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Корпус PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 3 functional + 1 tab (4 leads) —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C (junction, typical)
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (unlimited floor life) 1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Technology — SIPMOS (planar DMOS)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену