BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 비교

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Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.65 $0.43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) Normally ON (depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 functional + 1 tab (4 leads) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C (junction, typical)
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (unlimited floor life) 1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Technology — SIPMOS (planar DMOS)

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