BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP129H6906XTSA1 por Infineon e BSP135H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) Normally ON (depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 functional + 1 tab (4 leads) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C (junction, typical)
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited floor life) 1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Technology — SIPMOS (planar DMOS)

Fichas técnicas e recursos

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