BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP129H6906XTSA1 メーカー: Infineon および BSP135H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ 生産中
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) Normally ON (depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 functional + 1 tab (4 leads) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C (junction, typical)
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (unlimited floor life) 1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Technology — SIPMOS (planar DMOS)

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