BSZ068N06NSATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ068N06NSATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ068N06NSATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,82
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mΩ @ VGS=10 V 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) 2.1 W 2.3 W
Power Dissipation (Tc) 46 W 65 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

Fiches techniques et ressources

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