BSZ068N06NSATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ068N06NSATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ068N06NSATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,82
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mΩ @ VGS=10 V 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) 2.1 W 2.3 W
Power Dissipation (Tc) 46 W 65 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação