BSZ068N06NSATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ068N06NSATMA1 от Infineon и BSC076N04NDATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSZ068N06NSATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,82 |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | OptiMOS 5 (trench-gate) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mΩ @ VGS=10 V | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 46 W | 65 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +150 °C | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | MSL1 | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |