BSZ068N06NSATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ068N06NSATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N04NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ068N06NSATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.62 | $0.82 |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | OptiMOS 5 (trench-gate) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mΩ @ VGS=10 V | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 46 W | 65 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +150 °C | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | MSL1 | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| 動作接合温度 | — | -55 C to +175 C |
| パッケージ / ケース | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |