FDS6575 vs IRF7306TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDS6575 par onsemi et IRF7306TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FDS6575 IRF7306TRPBF
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,28 $0,55
Polarity P-Channel P-Channel (dual)
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A -3.6 A at 25°C
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Tension de seuil de grille [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
Boîtier SOIC-8 (SO-8) 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +150°C (junction)
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Statut RoHS Compliant —
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
Packaging — Tape & Reel (TR)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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