FDS6575 vs IRF7351TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDS6575 par onsemi et IRF7351TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FDS6575 IRF7351TRPBF
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,28 $0,68
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -10 A 8 A
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Tension de seuil de grille [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 24 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) IR MOSFET (HEXFET trench)
Boîtier SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7351TRPBF
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Power Dissipation (PD) — 2 W
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis