FDS6575 vs IRF7351TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDS6575 por onsemi e IRF7351TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FDS6575 IRF7351TRPBF
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,28 $0,68
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -10 A 8 A
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Tensão de limiar de gate [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 24 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) IR MOSFET (HEXFET trench)
Encapsulamento SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Status RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7351TRPBF
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Power Dissipation (PD) — 2 W
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Fichas técnicas e recursos

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