H5AN8G6NDJR vs K4A8G165WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,00 | $12,57 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +95C |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Statut RoHS | — | Compliant |