H5AN8G6NDJR vs K4A8G165WB-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NDJR por SK hynix e K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NDJR | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $35,00 | $12,57 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latência CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Recursos | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Temperatura de operação | — | -40C to +95C |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Status RoHS | — | Compliant |