H5AN8G6NDJR vs K4A8G165WB-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NDJR 제조: SK hynix 및 K4A8G165WB-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NDJR | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $35.00 | $12.57 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| 패키지 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS 레이턴시 | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 특징 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 | — | -40C to +95C |
| 인터페이스 | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS 상태 | — | Compliant |