H5ANAG6NBJR-UHC vs K4A4G165WF-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix et K4A4G165WF-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-UHC | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | — | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | — | $8,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | DDR4 (CMOS) | SSTL-12 |
| Boîtier | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto / Self Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| Statut RoHS | RoHS Compliant | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |