H5ANAG6NBJR-UHC vs K4A4G165WF-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5ANAG6NBJR-UHC بذریعہ SK hynix اور K4A4G165WF-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5ANAG6NBJR-UHC | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | — | In Stock |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $8.20 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| انٹرفیس | DDR4 (CMOS) | SSTL-12 |
| پیکیج | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto / Self Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| RoHS اسٹیٹس | RoHS Compliant | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| خصوصیات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |