H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XN par SK hynix et H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $71,20 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 (96-ball) | 96-ball FBGA |
| Package Width | 8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |