H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCJR-XN 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $71.20 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 (96-ball) | 96-ball FBGA |
| Package Width | 8 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| 인터페이스 | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |