H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCR-VKC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5ANAG6NCJR-XN от SK hynix и H5ANAG6NCR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $71,20 | $0,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| Организация памяти | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Корпус | FBGA-96 (96-ball) | 96-ball FBGA |
| Package Width | 8 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| Интерфейс | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |