H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCJR-XN メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCJR-XN - 16Gb DDR4-3200 SDRAM FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG6NCJR-XN - 16Gb DDR4-3200 SDRAM FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG6NCJR-XN ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $71.20 $0.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (1G x 16) —
メモリ構成 1G x 16 2G x 8
データレート 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
パッケージ FBGA-96 (96-ball) 96-ball FBGA
Package Width 8 mm —
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Write Leveling Yes —
Maximum Standby Current 0.074 A (per Vyrian listing) —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] —
Memory Density — 16 Gbit
インターフェース — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

データシート&リソース

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