IAUC120N06S5N017ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5N017ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 - 60V 120A 1.7mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5N017ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,32 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | Automotive OptiMOS 7 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 757 A | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 95.9 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.952 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 84 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.507 nF | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 167 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes (Automotive Grade) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Statut RoHS | — | Compliant |