IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon et IPD90P04P405ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,74 | $0,69 |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |