IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB120P04P4L03ATMA2 제조: Infineon 및 IPD90P04P405ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.74 | $0.69 |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| 동작 접합 온도 | -55C to +175C | — |
| 패키지 | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |