IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon e IPD90P04P405ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB120P04P4L03ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,74 $0,69
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (Tj)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Fichas técnicas e recursos

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