IPB65R041CFD7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB65R041CFD7ATMA1 par Infineon et IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB65R041CFD7ATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,92 | $5,19 |
| Technology | CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | 50 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 41 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) | 227 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | 4.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G typ) | [DATA_NEEDED: Q_G value] | — |
| Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) | [DATA_NEEDED: Q_rr value] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 227 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |