IPB65R041CFD7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB65R041CFD7ATMA1 メーカー: Infineon および IPB60R040CFD7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB65R041CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1 - 650V 41mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB65R041CFD7ATMA1 - 650V 41mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB65R041CFD7ATMA1 ✓ 生産中
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IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB65R041CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.92 $5.19
Technology CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 50 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 41 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 227 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) 4.5 V —
Total Gate Charge (Q_G typ) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) [DATA_NEEDED: Q_rr value] —
動作接合温度 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Series CoolMOS™ CFD7 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
消費電力(TC=25°C) — 227 W
動作温度範囲 — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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