IPB65R041CFD7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB65R041CFD7ATMA1 por Infineon e IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPB65R041CFD7ATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,92 | $5,19 |
| Technology | CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | 50 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 41 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) | 227 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | 4.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G typ) | [DATA_NEEDED: Q_G value] | — |
| Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) | [DATA_NEEDED: Q_rr value] | — |
| Temperatura de junção de operação | -55°C to +150°C | — |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | — | 227 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |