IPB65R041CFD7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB65R041CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPB60R040CFD7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB65R041CFD7ATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.92 | $5.19 |
| Technology | CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | 50 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 41 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) | 227 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | 4.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G typ) | [DATA_NEEDED: Q_G value] | — |
| Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) | [DATA_NEEDED: Q_rr value] | — |
| 동작 접합 온도 | -55°C to +150°C | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| 전력 손실 (TC=25°C) | — | 227 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |