IPD046N08N5ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD046N08N5ATMA1 par Infineon et IPD78CN10NGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD046N08N5ATMA1 | IPD78CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | 78 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Series | — | OptiMOS 2 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 13 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C | — | 31 W |
| Operating Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| Lead Plating | — | Pb-free (Matte Tin) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC1 for target application |