IPD046N08N5ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD046N08N5ATMA1 por Infineon e IPD78CN10NGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD046N08N5ATMA1 IPD78CN10NGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ 78 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET OptiMOS 2 Power-Transistor
Status RoHS ROHS3 Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Series — OptiMOS 2
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C — 31 W
Operating Junction Temperature Max — 175 C
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC1 for target application

Fichas técnicas e recursos

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