IPD046N08N5ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD046N08N5ATMA1 제조: Infineon 및 IPD78CN10NGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD046N08N5ATMA1 | IPD78CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.78 | $0.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | 78 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| 동작 접합 온도 범위 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| RoHS 상태 | ROHS3 Compliant | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Series | — | OptiMOS 2 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 13 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C | — | 31 W |
| Operating Junction Temperature Max | — | 175 C |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| Lead Plating | — | Pb-free (Matte Tin) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC1 for target application |