IPP022N12NM6AKSA1 vs IRFB4110PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP022N12NM6AKSA1 par Infineon et IRFB4110PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPP022N12NM6AKSA1 | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,04 | $1,55 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 29 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 203 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 2.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 395 W | 370 W |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TO220-3-1 (TO-220 through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |