IPP022N12NM6AKSA1 vs IRFB4110PBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPP022N12NM6AKSA1 제조: Infineon 및 IRFB4110PBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPP022N12NM6AKSA1 | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.04 | $1.55 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 29 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 203 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 2.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 395 W | 370 W |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C | — |
| 패키지 | PG-TO220-3-1 (TO-220 through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| 실장 유형 | Through Hole | Through Hole |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |