IR2117SPBF vs IR2117STRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IR2117SPBF par Infineon et IR2117STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IR2117SPBF | IR2117STRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,21 | $0,58 |
| Configuration | Single high-side driver | High-Side Single Channel |
| Driver Type | High-side gate driver (non-inverting) | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Maximum Offset (Bootstrap) Voltage | 600 V | — |
| Output Current (Source, typ.) | 0.25 A | — |
| Output Current (Sink, typ.) | 0.5 A | — |
| Gate Drive Supply Voltage (VBS) | 10 V to 20 V | — |
| Logic Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Input Type | CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down | — |
| Logic Input Polarity | Non-inverting | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes | Yes |
| Bootstrap Operation | Yes (floating channel) | — |
| dV/dt Immunity | Yes | — |
| Negative Transient Tolerance | Yes | — |
| Boîtier | 8-SOIC (SOIC-8) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Statut RoHS | Compliant (PbF suffix) | Compliant |
| Lead Finish | Lead-free (PbF) | — |
| Family | IR2117 / IR2118 series | — |
| Fonction | — | Gate Driver, Non-Inverting |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS / TTL |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Driven Device | — | N-Channel MOSFET / IGBT |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Floating Channel Offset Voltage | — | up to +600 V |
| Peak Source Current (IOUT+) | — | 250 mA |
| Peak Sink Current (IOUT-) | — | 500 mA |
| Propagation Delay (Ton/Toff) | — | 125 ns (max) |
| Temps de montée | — | 80 ns (typ) |
| Temps de descente | — | 40 ns (typ) |
| Negative Transient Voltage Tolerance | — | Yes, dV/dt immune |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Boîtier / Format | — | 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | MSL3 (per JEDEC J-STD-020) |