IR2117SPBF vs IR2117STRPBF 比較

詳細な並列比較: IR2117SPBF メーカー: Infineon および IR2117STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IR2117SPBF IR2117STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.21 $0.58
Configuration Single high-side driver High-Side Single Channel
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
パッケージ 8-SOIC (SOIC-8) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +125C —
RoHS ステータス Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
機能 — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
出力数 — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
立ち上がり時間 — 80 ns (typ)
立ち下がり時間 — 40 ns (typ)
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
動作温度範囲 — -40 C to +125 C
パッケージ / ケース — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes
MSLレベル — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

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