IR2117SPBF vs IR2117STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2117SPBF 제조: Infineon 및 IR2117STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2117SPBF IR2117STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.21 $0.58
Configuration Single high-side driver High-Side Single Channel
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
패키지 8-SOIC (SOIC-8) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -40C to +125C —
RoHS 상태 Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
기능 — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
출력 수 — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
상승 시간 — 80 ns (typ)
하강 시간 — 40 ns (typ)
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
동작 온도 범위 — -40 C to +125 C
패키지 / 케이스 — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes
MSL 레벨 — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

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