IR2117SPBF vs IR2117STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2117SPBF от Infineon и IR2117STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2117SPBF IR2117SPBF - 600V High-Side Gate Driver IC, 8-SOIC | Infineon

IR2117SPBF - 600V High-Side Gate Driver IC, 8-SOIC | Infineon

IR2117SPBF ✓ Активен
Infineon
IR2117STRPBF IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2117SPBF IR2117STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,21 $0,58
Configuration Single high-side driver High-Side Single Channel
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
Корпус 8-SOIC (SOIC-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -40C to +125C —
Статус RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
Функция — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Количество выходов — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Время нарастания — 80 ns (typ)
Время спада — 40 ns (typ)
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
Диапазон рабочих температур — -40 C to +125 C
Корпус / Типоразмер — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes
Уровень MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену